เนื่องจากไฟไฮเบย์ LED กำเนิดความร้อนสูง คุณภาพของไฟไฮเบย์ LED จึงจำกัดมาก เนื่องจากอุณหภูมิสูงจะเร่งอายุของชิป การสลายตัวของแสง การเปลี่ยนสี และทำให้อายุการใช้งานของไฟไฮเบย์ LED สั้นลง เพื่อแก้ปัญหานี้ จำเป็นต้องแผ่ความร้อนซ้ำและเพิ่มประสิทธิภาพการส่องสว่างของไฟไฮเบย์ LED ในปัจจุบัน ยังมีหนทางอีกยาวไกลในการเพิ่มอัตราการส่องสว่างของไฟไฮเบย์ LED ในระดับเทคนิค ในปัจจุบัน เราสามารถพึ่งพาปัจจัยต่อไปนี้เท่านั้นในการปรับปรุงคุณภาพของไฟไฮเบย์ LED

1. เตรียมหลอดไฟ LED กำลังสูงแบบโมดูลาร์ แหล่งกำเนิดแสง การกระจายความร้อน โครงสร้างรูปลักษณ์ ฯลฯ ถูกบรรจุไว้ในโมดูลหนึ่งและโมดูลนั้นเป็นอิสระจากกัน โมดูลใด ๆ สามารถเปลี่ยนได้อย่างอิสระ เมื่อชิ้นส่วนไม่ทำงาน จำเป็นต้องเปลี่ยนเฉพาะโมดูลที่ชำรุดโดยไม่ต้องเปลี่ยนโคมไฟโดยรวม

2. เพิ่มประสิทธิภาพการนำความร้อนของชิปและลดชั้นอินเทอร์เฟซการต้านทานความร้อน ซึ่งเกี่ยวข้องกับแบบจำลองโครงสร้างของระบบการจัดการระบายความร้อน กลศาสตร์ของไหล และการใช้งานทางวิศวกรรมของวัสดุนำความร้อนยิ่งยวดเพื่อเร่งการกระจายความร้อน

3. “โหมดการรวมชิปกระจายความร้อน (โครงสร้าง 2 ชั้น)” ไม่เพียงแต่เอาโครงสร้างพื้นผิวอะลูมิเนียมออก แต่ยังวางชิปหลายตัวบนตัวกระจายความร้อนโดยตรงเพื่อสร้างโมดูลหลายชิปที่มีแหล่งกำเนิดแสงเดียว และเตรียม หลอดไฟ Power LED ขนาดใหญ่ในตัว แหล่งกำเนิดแสงเป็นแบบเดี่ยว แหล่งกำเนิดแสงพื้นผิวหรือแหล่งกำเนิดแสงแบบคลัสเตอร์